
借助标准硅基 CMOS 工艺平台制备探测器件,将探测波段拓展至短波红外区域,理论上可将成本降至铟镓砷方案的十分之一甚至百分之一,为其进入智能手机、车载激光雷达等民用市场铺平道路。为解决硅与锗之间 4.2% 的晶格失配这一长期存在的技术难题,科研团队设计了多层渐变缓冲层配合低温生长技术,逐步减少原子级失配,同时采用原位退火和钝化技术抑制漏电,并通过创新的单光子雪崩二极管结构优化电场分布,降低噪声。目
当前文章:http://3sl.nuocenmu.cn/efdtip/s1dd4.docx
发布时间:15:33:33
国内/05-19
国内/05-20
国内/05-20
国内/05-23
国内/05-18
国内/05-19
国内/05-20
国内/05-22
国内/05-22